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  台积电在欧洲敞开立异渠道（OIP）ECO论坛宣告，按期2026年末量产A16（1.6纳米级）制程第一批芯片。

  外媒Tom′s Hardware报导，新制程采台积电独家“超级电轨”（Super Power Rail，SPR）芯片反面供电（BSPDN），完成增强的电源传输及更高的晶体管密度。不过BSPDN处理某些应战的一起，也添加别的应战，因而就需求更多规划作业。

  台积电A16制程采GAAFET架构，与N2系列制程相似，并含反面电源轨迹，以加强电源传输并进步晶体管密度。比较N2P制程，A16预期相同电压与杂乱度下可提高8%-10%功用；相同频率与晶体管数量下可下降15%-20%功耗；芯片密度提高1.07-1.10倍。

  台积电规划处理方案探究与技能基准部分主管Ken Wang表明，N2P到A16的逻辑布局转化适当直接，由于单元结构和大部分的布局形式大都相同，除了坚持相同的正面结构外，A16长处是承继N2设备宽度调制的NanoFlex功用，以完成最大的驱动强度。

  台积电“超级电轨”技能经过专门的接触点，将反面电源传输网络直接衔接至每个晶体管的源极与汲极，将导线长度与电阻降至最低，到达最高功用与电源功率。从出产视点来看，这是实例是最杂乱的BSPDN规划之一，其杂乱度逾越英特尔的Power Via技能。

  这代表芯片规划人员必定从头规划电源传输网络，以新方法布线，然后使用新布局布线战略，别的须进行散热缓解，因芯片热点将坐落一组导线下方，添加散热难度。

  Ken Wang指出，新方法触及新热感应布线软件、新时脉树结构、不同IR-Drop剖析、不同电压散布（dissimilar power domains），以及不同热剖析签核等。这都需求新版EDA东西和模仿软件。